COB芯片和倒装芯片之间的差异

由于LSI和VLSI的快速发展，芯片的过程特征尺寸已达到深层亚微米级（0.15μm），芯片尺寸已达到20mm×20mm，并且I / O的数量具有超过1,000。但是，芯片包已成为一个大问题之一，人们试图直接在PCB上打包它。有两个常用的包装方法：一个是COB方法，另一个是倒装芯片（C4）方法。应用COB方法的裸片（裸芯片）也称为COB芯片，后者称为倒装芯片，或f·c短。两者的结构是不同的，如下介绍。

COB芯片

焊接区域和芯片主体位于同一平面上，并且焊接区域的周边均匀分布。焊接区域的最小面积为90μm×90μm，最小距离为100μm。由于COB芯片焊接区域围绕外围分布，因此I / O生长的数量受到限制，特别是当它使用引线键合（粘合机）将焊接区域连接到PCB焊盘时。因此，PCB焊盘应存在相应数量的焊盘，并且它们也设置在周边上，以便适应它。因此，PCB制造过程的难度相对增加。此外，玉米棒的散热也很困难。

通常，COB仅适用于低功耗（0.5〜1W）的IC芯片。目前，COB芯片可以定制，一般价格只有QFP的一半。

F·C.

F·C芯片是在20世纪60年代的美国IBM开发的。它和COB之间的差异是焊点布置在芯片上的区域阵列中，并且焊接区域由凸块结构制成。凸块的外层是Sn / Pb焊料，因此在焊接时，F·C放置在PCB上。并可采用SMT方法实现焊接。这种焊接方法具有以下名称：

·特别是将F·C放置在PCB上;

·控制折叠芯片连接（简短的C4）。

通常，F·C焊点的间距为0.4mm或0.5mm，并且凸块布置在区域阵列中。首先，凸块的数量为102，已经实现了402个。

F·C凹凸生产是关键。通常的方法是首先覆盖芯片的铝电极上的阻挡金属层（保护层），考虑到焊料（SN-Pb）和铝的腐蚀反应，根据不同的方法和低粘合强度每家公司，不同材料的保护层镀在铝电极上，然后又蒸汽沉积在电极上的金属Cu或Ni，最后，Sn-Pb焊料涂覆制造凸点形电极。

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