电子芯片和LED芯片的主要区别是什么?

最大的区别是:1、材料不同，前者是硅基的，后者是一组三到五种化合物;2、前者是集成装置，后者是分立装置;3、后者要求较高的材料不良率。3W大功率LED工厂与你分享。

1.电子芯片生长在硅衬底上，各种光刻、蚀刻、掺杂、长膜、氧化等主要由硅或二氧化硅制成;在Si衬底上生长缓冲层后，生长n型GaN层和p型GaN层，中间形成多量子阱发光层。当电流通过PN结时，由于势能的变化，多余的能量以光的形式释放出来。光的能量随不同的势能差而变化，表现为不同的发光颜色(如蓝光、红色LED、红光能量)。低技术很简单，很多年前就出现了;蓝色LED能量高，难度大。蓝色LED激发黄色荧光粉产生白光)

2.芯片尺寸差异不是太大，比如cm / mm / 0.1mm的订单，但是在相同尺寸的集成电路中有非常复杂的电路(一般说7nm / 10nm工艺)，集成电路的设计和制造是非常相似的。包括英特尔和三星等设计和制造公司，以及高通、苹果、Fabless和台积电等专业代工商;用于分立设备的模是一个独立光源。加上正负电极，内部工艺可达100um / 10um，制造工艺简单多了。从开始到结束大约一百步，几乎是一样的。更不用说独立的LED IC设计公司了。

3.芯片厂家对洁净度要求高，不良率低。前者可能会影响性能。有许多缺陷，载体不能以相同的速度移动。比如一批货物，有的可以运行在2.8GHz频率下，有的只能运行在2G以下;LED芯片要求发光层缺陷率要比硅器件高几个数量级(数据在印象中)，否则会严重影响发光效率，即大部分能量以热能的形式丢失。LED技术和产品有几十年的历史，但大规爱游戏ayxdota2模使用(如液晶屏背光)已经过去20年，材料不是造成发光效率低的主要原因。

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